剛剛試著問chatgpt

給大家做個參考

其實晶柱的品質也有關係

晶圓廠的晶圓會因為不同的製程要求，對原始晶圓的品質有不同的要求。以下是一些影響原始晶圓品質要求的主要因素：

製程節點的精度：

先進製程（例如 5nm、3nm 等）：這類製程要求極高的精度，因為晶片上的電晶體密度更高，結構更微小。原始晶圓的純度和表面光滑度必須極高，微小的缺陷（如表面粗糙度、雜質或晶體缺陷）都可能導致電晶體失效或製程失敗。

成熟製程（例如 28nm 以上）：較成熟的製程相對對晶圓的要求較低，但依然需要保持一定的純度和品質，確保生產穩定性。
晶圓尺寸：

8吋晶圓：通常用於較成熟的製程，對於這類晶圓的品質要求相對較低。

12吋晶圓：用於先進製程，其尺寸較大，因此對於晶圓的平整度、晶體結構的一致性要求較高，因為較大的晶圓更容易出現表面缺陷，從而影響良率。
晶圓材料的種類：

矽晶圓是半導體製造中最常見的材料，對其純度和晶格結構的要求極高，特別是在先進製程中。
SOI（絕緣體上覆矽）晶圓：這類晶圓需要特別的製造技術，因為其在矽層下添加了絕緣體層，主要應用於高效能及低功耗的製程中，對晶圓的品質要求會更高。
晶圓的缺陷密度： 製程越先進，對於晶圓上缺陷密度（如微小雜質、晶體位移等）的容忍度越低。每個製程節點對缺陷密度的要求不同，先進製程需要更少的缺陷以確保高良率。

表面處理： 原始晶圓表面的光滑度和平整度在製程中至關重要，特別是在多層晶體管和更複雜的3D結構製程中。製程要求越高，對於表面處理的要求也越嚴格。

因此，製程不同，原始晶圓的品質要求也會隨之變化。先進的製程對於晶圓的純度、表面質量和缺陷控制要求會非常嚴格，而成熟製程則相對寬鬆一些。