中國首片 300 mm SOI 晶圓制備完成，實現技術從無到有重大突破

10 月 20 日消息，據中國科學院上海微系統所消息，上海微系統所魏星研究員團隊近日宣布，在 300 mm SOI 晶圓制造技術方面已取得突破性進展，制備出了國內第一片 300 mm 射頻（RF）SOI 晶圓。

IT之家從文章中得知，相關科研團隊基于集成電路材料全國重點實驗室 300 mm SOI 研發平台，依次解決了 300 mm RF-SOI 晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶矽薄膜沈積、非接觸式平坦化等諸多核心技術難題，實現了國內 300mm SOI 制造技術從無到有的重大突破。

300 mm RF-SOI 晶圓的自主制備將有力推動國內 RF-SOI 芯片設計、代工以及封裝等全産業鏈的協同快速發展，並爲國內 SOI 晶圓的供應安全提供堅實的保障。