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引用:

https://xueqiu.com/4299879533/194289237
2021-08-15

中芯成都代工，采用上海微光刻机 SSA800/10W浸入式光刻机参数：镜头NA：1.35
单次曝光分辨率：38-41nm
双工件台：DWSi，产率在每小时200片晶圆
套刻精度：优于2.5nm
设计指标：能够在单次曝光条件下满足28nm平面planner晶体管逻辑电路工艺需求

這邊也有2035-CN
至於消息真假?
我不知道