作者hareluya6510

其實MLC到了16nm的P/E cycle數還是維持在3K
主要是因為製程技術的創新，比方說空氣隙(air-gap)、HK/MG以及浮動閘極製作工藝的進步。另外在訊號處理上，像是重覆讀取(read retry)以及更強大的ECC等等

TLC則是會在3D上達到普及
目前3D的趨勢已經從原本的FN tunneling 變成charge trapping
TLC Endurance是否還是<1K 可能還有待證實
但是在容量變超大的情況下，使用TLC不見得就不好
至少目前SSD掛掉的多半不是NAND顆粒