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vn514026
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加入日期: Oct 2002
您的住址: 台北市
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作者u3350829
老實說只看這篇測試來論定低階的335系列只有1/3的P/E次數有點偏頗,
光是那個SMART顯示的device名稱是unknow就知道拿到的應該是工程樣品
而非正式產品,該文章也沒有在拿到新的SSD之後再測試過...
至少在下公司那堆被狂操到死掉的Intel 310/320/335系列SSD都沒有這篇
測試那樣不堪,其他的不說光是同size的335系列操到死寫入的量都比文章中
預測的要多N倍,尤其是320系列更是堪稱25nm裡面最耐用(以操掛時間來算),
再者一般user根本不會像文章中測試和在下公司跑那個該死的運算一樣產生
一卡車超小資料來連續寫入,老實說與其擔心這種大廠的SSD顆粒被寫掛還不
如擔心韌體有沒有出包來的實際;;;;

我跟你的看法是一樣的.廠商的演算法/糾錯技術 不會低劣到連消費市場User的環境負荷都負擔不了.....不管是1xnm/2xnm Flash寫入到過勞死對一般User來說是不應該發生的狀況.

但這不代表其他的零件不會壞.除了FW Bug,電阻/排組/電容都會壞,壞了不能開機對消費者而言也是壞了,才不會分是Flash過勞死還是阻值異常.....
舊 2014-08-12, 02:42 PM #734
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